机译:纳米ZnO制备的压敏电阻的微观结构分析
机译:Y_2O_3-La_2O_3共掺杂对纳米ZnO粉体制备的ZnO基压敏陶瓷微观结构和电性能的影响
机译:纳米ZnO粉制备的La2O3和Sm2O3共掺杂ZnO基压敏陶瓷的微观结构和电性能
机译:PR_6O_(11)掺杂对ZnO-PR_6O_(11)-CO_3O_4-CR_2O_3-SNO_2变阻器的微结构和电性能的影响
机译:由通过高能球磨获得的纳米晶体粉末制备的压敏电阻。
机译:通过原子层沉积制备的ZnO / TiO2纳米层合物的光学和微观结构性质
机译:加工条件对根据可用的纳米晶体ZnOE电子补充信息制备的压敏电阻的影响:1)与Sb,Bi和Co涂覆前后的纳米ZnO样品的HRTEM相关的EDX; 2)添加所有掺杂剂后,在300°C下煅烧的压敏电阻粉末的HRTEM和EDTEM与HRTEM相关; 3)在1050°C烧结的核壳压敏电阻样品的FESEM与EDX相关。参见http://www.rsc.org/suppdata/jm/b3/b306280e/
机译:重新开始制造用于铁电中子发生器电源的ZnO压敏电阻的化学制备工艺。